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参数资料
| 型号： | IRF1010ZL |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封装： | PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | IRF1010ZL |
IRF1010Z/S/LPbF
8
www.irf.com
Fig 17.
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
* VGS = 5V for Logic Level Devices
*
+
-
+
-
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
VDS
Pulse Width ≤ 1 s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
10V
+
-VDD
Fig 18a. Switching Time Test Circuit
Fig 18b. Switching Time Waveforms
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PDF描述 |
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参数描述 |
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