- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录175863 > IRF1010ZL 75 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF1010ZL |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封装： | PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | IRF1010ZL |
IRF1010Z/S/LPbF
10
www.irf.com
D2Pak (TO-263AB) Part Marking Information
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
A = ASSEMBLY SITE CODE
RECTIFIER
INTERNATIONAL
PART NUMBER
P = DESIGNATES LEAD - FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
F530S
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
AS SEMBLED ON WW 02, 2000
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
INTERNATIONAL
LOGO
RECTIFIER
LOT CODE
ASSEMBLY
YEAR 0 = 2000
PART NUMBER
DATE CODE
LINE L
WEEK 02
OR
F530S
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
D2Pak (TO-263AB) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Notes:
1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/datasheets/data/auirf1010z.pdf
2. For the most current drawing please refer to IR website athttp://www.irf.com/package/
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3205-010 | 98 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF420 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF530 | 100V，14A TMOS Power Field Effect Transistor （N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate）(100V，14A TMOS功率场效应管（N沟道增强型硅门）) |
| IRF533 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| IRF531 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1010ZLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1010ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1010ZS | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF1010ZSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF1010ZSPBF | 功能描述:MOSFET 55V SINGLE N-CH HEXFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。