参数资料
型号: IRF1010ZL
元件分类: JFETs
英文描述: 75 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封装: PLASTIC, TO-262, 3 PIN
文件页数: 9/12页
文件大小: 399K
代理商: IRF1010ZL
IRF1010Z/S/LPbF
6
www.irf.com
QG
QGS
QGD
VG
Charge
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
31A
53A
BOTTOM 75A
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
V
G
S
(t
h)
G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250A
1K
VCC
DUT
0
L
相关PDF资料
PDF描述
IRF3205-010 98 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF420 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF530 100V,14A TMOS Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate)(100V,14A TMOS功率场效应管(N沟道增强型硅门))
IRF533 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
IRF531 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF1010ZLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1010ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1010ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1010ZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF1010ZSPBF 功能描述:MOSFET 55V SINGLE N-CH HEXFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube