| 型号： | IRF530NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF530NS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF5305S | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK |
| IRF5210STRR | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK |
| AT3079JB | ACCY CAP FOR B PLUNGER WHT/CLEAR |
| IRF520NS | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK |
| IRF1010NS | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF530NSPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530NSTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF530NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF530NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |