参数资料
型号: IRF530NS
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRF530NS
IRF530NS/IRF530NL
100
TOP
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
10
4.5V
10
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10            100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10            100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J = 175 C
100
T J = 25 ° C
°
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 15A
10
4.0
5.0
6.0
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20 0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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