- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21662 > IRF530NS (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF530NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF530NS |
IRF530NS/IRF530NL
TO-262 Package Outline
IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
4- COLLECTOR
TO-262 Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRL3103L
www.irf.com
LOT CODE 1789
ASS EMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASS EMBLY LINE "C"
INT ERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
AS SEMBLY
LOT CODE
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF5305S | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK |
| IRF5210STRR | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK |
| AT3079JB | ACCY CAP FOR B PLUNGER WHT/CLEAR |
| IRF520NS | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK |
| IRF1010NS | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF530NSPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530NSTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF530NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF530NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。