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参数资料
型号： IRF6668TR1
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/10页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
产品变化通告： (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012
标准包装： 1,000
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 55A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 15 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.9V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1320pF @ 25V
功率 - 最大： 2.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DirectFET? 等容 MZ
供应商设备封装： DIRECTFET? MZ
包装： 带卷 (TR)
IRF6668
Electrical Characteristic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
80
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
? BV DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.097
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
–––
3.0
–––
–––
12
4.0
-11
–––
15
4.9
–––
20
m ?
V
mV/°C
μA
V GS = 10V, I D = 12A g
V DS = V GS , I D = 100μA
V DS = 80V, V GS = 0V
–––
–––
250
V DS = 64V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
R G (Internal)
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
Gate Resistance
–––
–––
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
22
4.8
1.6
7.8
7.8
9.4
12
1.0
100
-100
–––
31
–––
–––
12
–––
–––
–––
–––
nA
S
nC
nC
?
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 10V, I D = 12A
V DS = 40V
V GS = 10V
I D = 12A
See Fig. 14
V DS = 16V, V GS = 0V
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
19
13
–––
–––
V DD = 40V, V GS = 10V
I D = 12A
g
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.1
23
1320
310
76
1400
200
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
R G = 6.2 ?
See Fig. 16
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 1.0V, f=1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 64V, f=1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
–––
–––
24
mJ
T J = 25°C, I S = 23A, R G = 25 ?
L = 0.088mH. See Fig. 13
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
34
40
1.3
51
60
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 12A, V GS = 0V g
T J = 25°C, I F = 12A, V DD = 40V
di/dt = 100A/μs g
Notes:
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
2
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
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IRF6674TRPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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