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参数资料
| 型号： | IRF6668TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.9V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1320pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MZ |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MZ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6668
60
ID = 12A
60
T J= 25°C
50
40
50
40
Vgs = 7.0V
Vgs = 8.0V
Vgs = 10V
Vgs = 15V
30
20
10
0
T J= 125°C
T J= 25°C
30
20
10
0
4
6
8
10
12
14
16
0
20
40
60
80
100
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 8. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage
1000
ID, Drain Current (A)
Fig 9. Typical On-Resistance vs. Drain Current
6.0
100
10
T J = 150°C
T J= 25°C
T J = -40°C
5.0
4.0
1
0
VGS = 0V
3.0
2.0
I D = 100μA
I D = 250μA
I D = 1.0mA
I D = 1.0A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
T J , Temperature ( °C )
Fig 11. Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100
ID
TOP
4.3A
100
100μsec
1msec
80
60
7.6A
BOTTOM 23A
10
10msec
40
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
20
0
0
1
10
100
25
50
75
100
125
150
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig12. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6668TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6668TRBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6668TRPBF | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6674TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6674TRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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