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参数资料
| 型号： | IRF6668TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.9V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1320pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MZ |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MZ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6668
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Vds
Vgs
Id
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V gs(th)
V GS
3mA
I G
I D
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Current Sampling Resistors
Fig 14a. Gate Charge Test Circuit
15V
Fig 14b. Gate Charge Waveform
V (BR)DSS
tp
VDS
L
DRIVER
RG
GS
V 20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
I AS
Fig 15a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 15b. Unclamped Inductive Waveforms
- V DD
R G
V GS
10V
V DS
R D
D.U.T.
+
V DS
90%
10%
V GS
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
t d(on)
t r
t d(off)
t f
6
Fig 16a. Switching Time Test Circuit
Fig 16b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF710STRLPBF | MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK |
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| IRF7204 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
| IRF7207TR | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC |
| IRF720 | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6668TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6668TRBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6668TRPBF | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6674TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6674TRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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