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参数资料
| 型号： | IRF6668TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.9V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1320pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MZ |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MZ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6668
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
P D @T C = 25°C
T P
T J
T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Power Dissipation
Peak Soldering Temperature
Operating Junction and
Storage Temperature Range
2.8
1.8
89
270
-40 to + 150
W
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JA
Junction-to-Ambient
–––
45
R θ JA
R θ JC
R θ J-PCB
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Junction-to-PCB Mounted
12.5
–––
1.0
–––
1.4
–––
°C/W
10
1
D = 0.50
0.20
τ 3
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ J
R 1
R 1
τ J
τ 1
τ 1
C i= τ i / R i
C i= τ i / R i
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ C
τ C
Ri (°C/W) τ i (sec)
0.3173 0.000048
0.5283 0.000336
0.5536 0.001469
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 1. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case ?
Notes:
? Surface mounted on 1 in. square Cu, steady state (still air).
? Used double sided cooling, mounted on 1 in. square Cu board
PCB with small clip heatsink (still air).
? R θ is measured at T J of approximately 90°C.
Note
?
Note
?
Note
?
www.irf.com
3
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| IRF6668TRPBF | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRF6674TRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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