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参数资料
| 型号： | IRF7233TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7233
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units Conditions
V (BR)DSS
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-14
-12
––– ––– V V GS = 0V, I D = -5.0mA
––– ––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.001 –––
V/°C
Reference to 25°C, I D = -1mA
?
R DS(on)
V GS(th)
g fs
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
-0.6
3.3
–––
0.013 0.020 V GS = -4.5V, I D = -9.5A ?
0.023 0.033 V GS = -2.5V, I D = -6.0A ?
––– ––– V V DS = V GS , I D = -250μA
––– ––– S V DS = -10V, I D = -9.5A
––– -10 V DS = -12V, V GS = 0V
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
––– -1.0
μA
V DS = -9.6V, V GS = 0V
–––
––– -100 V DS = -12V, V GS = 0V, T J = 70°C
––– -100 V GS = -12V
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nA
––– 100 V GS = 12V
49 74 I D = -9.5A
9.3 14 nC V DS = -10V
22 32 V GS = -5.0V ?
26 ––– V DD = -10V
540 ––– I D = -9.5A
t d(off)
Turn-Off Delay Time
–––
77 –––
ns
R D = 1.0 ?
t f
C iss
C oss
C rss
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
370 ––– R G = 6.2 ? ?
4530 6000 V GS = 0V
2400 ––– pF V DS = -10V
2220 ––– ? = 1.0kHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
-2.5
-76
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
43
35
-1.2
65
52
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -2.5A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = -2.5A
di/dt = 100A/μs ?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
? Starting T J = 25°C, L = 1.3mH
R G = 25 ? , I AS = 9.5A.
www.irf.com
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