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参数资料
| 型号： | IRF7233TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7233
V G S = 0V,
C iss = C g s + C g d d s SH ORTE D
C o ss d s + C g d
6000
C rss = C g d
=C
f = 1kHz
, C
10
8
I D = -9.5A
V DS =-10V
5000
C iss
6
4000
4
3000
C o ss
C rss
2
2000
0
2
4
6
8
10
12
A
0
0
10
20
30
40
50
60
70
100
-V D S , D rain-to-So urc e Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150°C
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 150 C
10
T J = 25°C
10
T A = 25 ° C
°
100us
1ms
10ms
1
V G S = 0V
A
1
Single Pulse
0.0
1.0
2.0
3.0
0.1
1
10
100
4
-V S D , S ou rce-to-D ra in Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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