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参数资料
| 型号： | IRF7233TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7233
100
80
TOP
VG S
- 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
100
80
TO P
VG S
- 7 .5 V
- 5 .0 V
- 4 .0 V
- 3 .5 V
- 3 .0 V
- 2 .5 V
60
40
20
- 2.0V
BO TTO M - 1.5V
20μs PULSE W IDTH
60
40
20
- 2 .0 V
B O TT O M - 1 .5 V
20 μs PU L SE W ID TH
0
-1.5V
T J = 25°C
A
0
-1 .5 V
T J = 1 50°C
A
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
-V D S , D ra in-to-Source V oltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V D S , D rain-to-Sou rce V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 2 5 °C
T J = 1 5 0 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = -9.5A
1
1.0
1.5
2.0
V D S = -1 0 V
2 0 μ s P U L S E W ID TH
2.5
3.0
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = -4.5V
80 100 120 140 160
-V G S , G a te -to -S o u rc e V o lta ge (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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