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参数资料
| 型号： | IRF7233TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7233
10.0
140
120
TOP
I D
-4.2A
-7.6A
8.0
6.0
4.0
100
80
60
BOTTOM -9.5A
40
2.0
20
0.0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature ( C)
Starting T J , Junction Temperature ( C)
°
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
100
D = 0.50
°
Fig 10. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
P DM
t 1
t 2
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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