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参数资料
型号： IRF7307
厂商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件页数： 9/10页
文件大小： 194K
代理商： IRF7307
IRF7307
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
-
RG
VDD
dv/dt controlled by R
G
I
SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
* Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
*
VGS*
**
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
[
]
[
]
*** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
[
] ***
Fig 24. For N and P Channel HEXFETS
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PDF描述
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