参数资料
型号: IRF7739L2TRPBF
元件分类: JFETs
英文描述: 375 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-9
文件页数: 2/11页
文件大小: 260K
代理商: IRF7739L2TRPBF
IRF7739L2TRPbF/TR1PbF
10
www.irf.com
DirectFET
Tape & Reel Dimension (Showing component orientation).
Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
LOADED TAPE FEED DIRECTION
MIN
11.90
3.90
15.90
7.40
7.20
9.90
1.50
NOTE: CONTROLLING
DIMENSIONS IN MM
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
MAX
12.10
4.10
16.30
7.60
7.40
10.10
NC
1.60
MIN
0.469
0.154
0.626
0.291
0.284
0.390
0.059
MAX
0.476
0.161
0.642
0.299
0.291
0.398
NC
0.063
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
REEL DIMENSIONS
NOTE: Controlling dimensions in mm Std reel
quantity is 4000 parts. (ordered as IRF7739L2PBF).
STANDARD OPTION (QTY 4000)
MIN
330.0
20.2
12.8
1.5
100.0
N.C
16.4
15.9
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
MAX
N.C
13.2
N.C
22.4
18.4
MIN
12.992
0.795
0.504
0.059
3.937
N.C
0.646
0.626
MAX
N.C
0.520
N.C
0.889
0.724
METRIC
IMPERIAL
相关PDF资料
PDF描述
IRF7821 Power MOSFET
IRF820 N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
IRF823 N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
IRF821 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF822 N-CHANNEL POWER MOSFETS
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF7748L1TRPBF 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7749L2TR1PBF 功能描述:MOSFET 60V 200A 1.5mOhm 220nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7749L2TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor
IRF7749L2TRPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7750 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR