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参数资料
| 型号： | IRF7739L2TRPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 375 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-9 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | IRF7739L2TRPBF |
IRF7739L2TRPbF/TR1PbF
4
www.irf.com
Fig 5. Typical Output Characteristics
Fig 4. Typical Output Characteristics
Fig 6. Typical Transfer Characteristics
Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 8. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig 9. Typical Total Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
VGS
TOP
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM
4.5V
≤60s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.5V
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
4.5V
≤60s PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM
4.5V
2
3
4
5
6
7
8
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
≤60s PULSE WIDTH
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
R
D
S
(o
n)
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(N
or
m
al
iz
ed
)
ID = 160A
VGS = 10V
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000
10000
100000
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
50
100
150
200
250
300
QG, Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS= 32V
VDS= 20V
ID= 160A
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