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参数资料
| 型号： | IRF7739L2TRPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 375 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-9 |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | IRF7739L2TRPBF |
IRF7739L2TRPbF/TR1PbF
www.irf.com
5
Fig 13. Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11. Maximum Safe Operating Area
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100sec
1msec
10msec
DC
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
G
S
(t
h)
,G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250A
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
E
A
S
,S
in
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P
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nc
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E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
29A
46A
BOTTOM 160A
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