参数资料
型号: IRFIB8N50K
厂商: International Rectifier
英文描述: SMPS MOSFET
中文描述: MOSFET的开关电源
文件页数: 3/8页
文件大小: 147K
代理商: IRFIB8N50K
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
TOP
BOTTOM
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 50V
20μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
6.7A
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PDF描述
IRFIBC30 30 AMP MINIATURE POWER RELAY
IRFIBC30G GT 19C 19#16 PIN RECP BOX
IRFIBE30 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
IRFIBE30G N-Channel HEXFET Power MOSFET(800V,2.1A HEXFET 功率MOS场效应管)
IRFIBF20G Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFIB8N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIBC20 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
IRFIBC20G 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIBC20GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIBC30 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A)