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参数资料
型号： IRFIB8N50K
厂商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的开关电源
文件页数： 6/8页
文件大小： 147K
代理商： IRFIB8N50K
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13b.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12a.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12d.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12c.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
EA
ID
TOP 3.0A
4.2A
BOTTOM6.7A
相关PDF资料
PDF描述
IRFIBC30 30 AMP MINIATURE POWER RELAY
IRFIBC30G GT 19C 19#16 PIN RECP BOX
IRFIBE30 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
IRFIBE30G N-Channel HEXFET Power MOSFET(800V,2.1A HEXFET 功率MOS场效应管)
IRFIBF20G Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFIB8N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIBC20 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
IRFIBC20G 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIBC20GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIBC30 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A)
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