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参数资料
型号： IRFIB8N50K
厂商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的开关电源
文件页数： 7/8页
文件大小： 147K
代理商： IRFIB8N50K
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
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相关PDF资料
PDF描述
IRFIBC30 30 AMP MINIATURE POWER RELAY
IRFIBC30G GT 19C 19#16 PIN RECP BOX
IRFIBE30 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
IRFIBE30G N-Channel HEXFET Power MOSFET(800V,2.1A HEXFET 功率MOS场效应管)
IRFIBF20G Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFIB8N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIBC20 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
IRFIBC20G 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIBC20GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIBC30 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A)
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