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参数资料
| 型号： | IRFIB8N50K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | IRFIB8N50K |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
100000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
10
20
30
40
50
60
70
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
VG
400V
250V
100V
ID = 6.7A
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
10000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述 |
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