型号: | IRFIB8N50K |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | SMPS MOSFET |
中文描述: | MOSFET的开关电源 |
文件页数: | 5/8页 |
文件大小: | 147K |
代理商: | IRFIB8N50K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRFIBC30 | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
IRFIBC30G | GT 19C 19#16 PIN RECP BOX |
IRFIBE30 | Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) |
IRFIBE30G | N-Channel HEXFET Power MOSFET(800V,2.1A HEXFET 功率MOS场效应管) |
IRFIBF20G | Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRFIB8N50KPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIBC20 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) |
IRFIBC20G | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIBC20GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIBC30 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A) |