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参数资料
| 型号： | IRFP044N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 53A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *IRFP044N |
IRFP044N
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
10
4.5 V
2 0μ s PU LSE W ID TH
10
4 .5V
20 μs P UL SE W IDTH
1
T C = 2 5°C
A
1
T C = 17 5°C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 2 5 ° C
T J = 1 7 5 ° C
2.5
2.0
1.5
I D = 46 A
1.0
10
0.5
V DS = 2 5 V
1
4
5
6
7
2 0 μ s P U L SE W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
A
100 120 140 160 180
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T emperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP048N | MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC |
| IRFP054N | MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC |
| IRFP140N | MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC |
| IRFP150A | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 |
| IRFP150N | MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP044N | 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Dr |
| IRFP044NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
| IRFP044NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP044PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 57 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP045 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC |
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