参数资料
型号: IRFP044N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 53A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 29A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V
功率 - 最大: 120W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP044N
IRFP044N
L
V DS
D.U.T.
500
TO P
I D
1 1A
20A
- DD
R G
+
V
400
BO TTOM
28 A
10 V
I AS
t p
0.01 ?
300
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
t p
200
100
V DD
0
V D D = 2 5V
A
25
50
75
100
125
150
175
V DS
I AS
Starting T J , Junction T emperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
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参数描述
IRFP044N 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Dr
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IRFP044NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP044PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 57 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP045 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC