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参数资料
| 型号： | IRFP044N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 53A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *IRFP044N |
IRFP044N
Package Outline
TO-247AC Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
1 5 .90 (.6 2 6)
1 5 . 30 (.6 0 2)
-B -
-A -
3 .6 5 (.1 4 3 )
3 .5 5 (.1 4 0 )
0 .25 (.0 1 0) M
D B M
-D -
5 .3 0 (.2 0 9 )
4 .7 0 (.1 8 5 )
2 .5 0 (.0 8 9)
1 .5 0 (.0 5 9)
5 .5 0 (.2 1 7 )
4
2 0 .3 0 (.80 0 )
1 9 .7 0 (.77 5 )
2X
5. 50 (.2 17 )
4. 50 (.1 77 )
NOT ES :
1 DIME NSIO NING & TO LERAN CING
1
2
3
PE R AN SI Y 14.5M, 1982.
2 CO NTRO LLING DIMENS IO N : IN CH .
3 CO NF ORM S T O JEDE C O UTLINE
-C -
T O-247-A C.
1 4.8 0 (.5 8 3 )
1 4.2 0 (.5 5 9 )
4 .3 0 (.1 7 0 )
3 .7 0 (.1 4 5 )
2 .4 0 (.09 4 )
2 .0 0 (.07 9 )
2X
5 .45 (.2 1 5)
2X
1 .4 0 (.0 56 )
3 X 1 .0 0 (.0 39 )
0 .25 (.0 10 ) M
3 .4 0 (.1 3 3 )
3 .0 0 (.1 1 8 )
C A S
0 .8 0 (. 03 1 )
3 X 0 .4 0 (. 01 6 )
2.6 0 (.10 2 )
2.2 0 (.08 7 )
LEAD AS SIGN MENT S
1 - G ATE
2 - DRAIN
3 - SO URCE
4 - DRAIN
Part Marking Information
TO-247AC
E XAM P L W IT H A S S E MB LY F PE 30
LO T CO DE 9B 1M BL Y
R EC T IF IER
W W W EE K W E EK
E X AM PLE : T HI S IS A N IRF 1010
E : T H IS IS AN IR
W IT H AS SE M
LOT C ODE 3A 1Q
IN TE R NA T ION A L
IN TE R N A TIO N A L
R E C T IF IE R
LO GO
A S BL Y
T T E
A SSE M EM B LY
L O LO C O D CO DE
IR E3
IR FP 1010
9246
1 Q 02
3A 9B 9 3 1M
A A
T N M B M P
P AR A RT U NU ER BE R
D A TE C OD E
D A TE C O D E
(Y YW W )
(YYW W )
Y Y = YE A R
YY = YE AR
WW =
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice. 8/97
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP048N | MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC |
| IRFP054N | MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC |
| IRFP140N | MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC |
| IRFP150A | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 |
| IRFP150N | MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP044N | 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Dr |
| IRFP044NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
| IRFP044NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP044PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 57 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP045 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC |
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