参数资料
型号: IRFP044N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 53A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 29A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V
功率 - 最大: 120W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP044N
IRFP044N
60
V GS
V DS
R D
D.U.T.
50
40
R G
10V
+
- V DD
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
30
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
20
V DS
90%
10
0
25
50      75     100     125
T C , Case Temperature
150
( °C)
175
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10
1
D = 0.50
0.20
0.10
Fig 10b. Switching Time Waveforms
P DM
0.1
0.05
t 1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
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IRFP044PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 57 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP045 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC