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参数资料
| 型号： | IRFP054N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 81A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 43A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 170W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *IRFP054N |
IRFP054N
5000
4000
V GS
C is s
C rs s
C is s C o ss
= 0 V, f = 1M H z
= C gs + C gd , C ds SH O RTE D
= C gd
= C ds + C g d
20
16
I D = 4 3A
V D S = 4 4V
V D S = 2 8V
3000
2000
1000
C os s
C rs s
12
8
4
FO R TE ST C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
60
80
SEE FIG U R E 13
100 120
140
A
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , T otal G ate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
1000
O PER ATION IN TH IS AR EA L IMITED
BY R DS (on)
10μ s
100
100
T J = 17 5 °C
T J = 2 5°C
10
T C = 2 5°C
100 μs
1 ms
10m s
T J
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V GS = 0 V
2.4 2.8
A
1
1
= 1 75 °C
Sing le P ulse
10
100
A
V S D , Source-to-D rain Voltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP140N | MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC |
| IRFP150A | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 |
| IRFP150N | MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC |
| IRFP250 | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD |
| IRFP260 | MOSFET N-CH 200V 46A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP054NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
| IRFP054NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 72A 12mOhm 86.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP054PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP054V | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=9.0mohm, Id=93A) |
| IRFP054VPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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