参数资料
型号: IRFP054N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 81A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 43A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V
功率 - 最大: 170W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP054N
IRFP054N
100
80
LIMITED BY PACKAGE
R G
V GS
10V
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
60
40
20
0
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature
( ° C)
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
1
D = 0.50
0.20
Fig 10b. Switching Time Waveforms
0.1
0.10
0.05
P DM
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
t 1
t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
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