参数资料
型号: IRFP054N
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 81A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 43A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V
功率 - 最大: 170W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP054N
IRFP054N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
R G
Driver Gate Drive
P.W.
?
?
?
?
Period
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
P.W.
D=
Period
+
-
V DD
Reverse
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V
*
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
V DD
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14. For N-Channel HEXFETS
相关PDF资料
PDF描述
IRFP140N MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
IRFP150A MOSFET N-CH 100V 43A TO-3
IRFP150N MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
IRFP250 MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
IRFP260 MOSFET N-CH 200V 46A TO247
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFP054NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP054NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 72A 12mOhm 86.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP054PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP054V 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=9.0mohm, Id=93A)
IRFP054VPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET