参数资料
型号: IRFP054N
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 81A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 43A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V
功率 - 最大: 170W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP054N
IRFP054N
1000
I D
15 V
800
TO P
BO TTO M
18 A
3 1A
43A
VDS
L
D R IV E R
600
RG
20V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
+
-
VDD
A
400
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
200
tp
V (BR )D SS
0
V DD = 25 V
25 50
75
100
125
150
A
175
St arting T J , Junct ion T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料
PDF描述
IRFP140N MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
IRFP150A MOSFET N-CH 100V 43A TO-3
IRFP150N MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
IRFP250 MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
IRFP260 MOSFET N-CH 200V 46A TO247
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFP054NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP054NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 72A 12mOhm 86.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP054PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP054V 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=9.0mohm, Id=93A)
IRFP054VPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET