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参数资料
| 型号： | IRFR3518 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 555K |
| 代理商： | IRFR3518 |
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
T , Case Temperature
(°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3518 | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFU3704Z | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3704 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A) |
| IRFU3704 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3518HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 38A 3PIN DPAK - Bulk |
| IRFR3518PBF | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 29mOhms 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3518TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRFR3518TRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 38A, 29 MOHM, 37 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
| IRFR3518TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 38A 29mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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