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参数资料
型号： IRFR3518
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 9/10页
文件大小： 555K
代理商： IRFR3518
www.irf.com
9
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOWN ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
9.65 (.380)
8.89 (.350)
3X
2.28 (.090)
1.91 (.075)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
4
1 2 3
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
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PDF描述
IRFU3518 HEXFET Power MOSFET
IRFR3704Z CONN RGT ANGLE HDR 12
IRFU3704Z HEXFET Power MOSFET
IRFR3704 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A)
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参数描述
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IRFR3518PBF 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 29mOhms 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3518TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR3518TRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 38A, 29 MOHM, 37 NC QG, D-PAK - Tape and Reel
IRFR3518TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 38A 29mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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