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参数资料
| 型号： | IRFR9024N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | P通道表面贴装HEXFET功率MOSFET的性（P沟道表贴型的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRFR9024N |
IRFR/U9024N
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-8.0V
-7.0V
-5.5V
-DS
-
D
-4.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
-10V
-7.0V
-6.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-4.5V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-10V
-11A
0.1
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 150 C
°
T = 25 C
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