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参数资料
| 型号： | IRFR9024N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | P通道表面贴装HEXFET功率MOSFET的性（P沟道表贴型的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRFR9024N |
IRFR/U9024N
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0.0
3.0
6.0
9.0
12.0
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
=P
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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