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参数资料
| 型号： | IRFR9024N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | P通道表面贴装HEXFET功率MOSFET的性（P沟道表贴型的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRFR9024N |
IRFR/U9024N
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.6
0.9
1.3
1.6
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
10us
100us
1ms
10ms
0
100
200
300
400
500
600
700
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
G
A
-
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -7.2A
V = -44V
V = -28V
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PDF描述 |
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