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参数资料
| 型号： | IRFR9024N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | P通道表面贴装HEXFET功率MOSFET的性（P沟道表贴型的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRFR9024N |
IRFR/U9024N
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
DRIVER
A
15V
-20V
-
DD
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
-3.0A
-4.2A
-6.6A
TOP
BOTTOM
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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