- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录447 > IRFS3507TRLPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRFS3507TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 97A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 58A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3540pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 190W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFB/S/SL3507PbF
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
10
4.5V
1
0.1
4.5V
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
10
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
1000
100
10
1
0.1
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
T J = 175°C
T J = 25°C
VDS = 25V
≤ 60μs PULSE WIDTH
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
ID = 97A
VGS = 10V
2
4
6
8
10
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
100000
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
12.0
10.0
8.0
ID= 58A
VDS= 60V
VDS= 38V
VDS= 15V
Ciss
6.0
1000
Coss
4.0
100
Crss
2.0
0.0
1
10
100
0
20
40
60
80
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
www.irf.com
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS450B | MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF |
| IRFSL23N15D | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 |
| IRFSL23N20D | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 |
| IRFSL33N15DTRRP | MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3 |
| IRFSL33N15D | MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS350A | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS351 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS3607PBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3607TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3806PBF | 功能描述:MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。