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参数资料
| 型号： | IRFS3507TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 97A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 58A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3540pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 190W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFB/S/SL3507PbF
1000
100
T J = 175°C
10000
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
100
1msec
10
10
1
0.1
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
0.01
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
DC
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
10
100
1000
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
100
Limited By Package
80
60
40
20
0
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
95
90
85
80
75
70
25
50
75
100
125
150
175
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
1.6
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
1200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1000
800
600
400
200
0
ID
TOP 8.9A
12A
BOTTOM 58A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
25
50
75
100
125
150
175
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Starting T J , Junction Temperature (°C)
4
Fig 11. Typical C OSS Stored Energy
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS450B | MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF |
| IRFSL23N15D | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 |
| IRFSL23N20D | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 |
| IRFSL33N15DTRRP | MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3 |
| IRFSL33N15D | MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS350A | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS351 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS3607PBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3607TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3806PBF | 功能描述:MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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