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参数资料
| 型号： | IRFS3507TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 97A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 58A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3540pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 190W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFB/S/SL3507PbF
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
D.U.T. V DS Waveform
?
?
-
R G
?
?
?
?
- ? +
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Reverse
Recovery
Current
Re-Applied
Voltage
I nductor Curren t
Body Diode Forward
Current
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple ≤ 5%
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 20. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
V (BR)DSS
15V
tp
VDS
L
DRIVER
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
I AS
Fig 21a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 21b. Unclamped Inductive Waveforms
V DS
L D
+
V DS
90%
V DD -
V GS
D.U.T
10%
V GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 22a. Switching Time Test Circuit
Fig 22b. Switching Time Waveforms
Id
Vds
Vgs
L
0
DUT
VCC
Vgs(th)
1K
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 23a. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
Fig 23b. Gate Charge Waveform
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFS3607TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3806PBF | 功能描述:MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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