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参数资料
| 型号： | IRFS3507TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 97A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 58A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3540pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 190W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFB/S/SL3507PbF
4.5
4.0
3.5
3.0
14
12
10
8
J
2.5
2.0
1.5
I D = 100μA
I D = 250μA
I D = 1.0mA
I D = 1.0A
6
4
2
IF = 19A
VR = 64V
T = 25°C _____
J
1.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
0
T = 125°C ----------
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
T J , Temperature ( °C )
Fig 16. Threshold Voltage vs. Temperature
14
12
10
8
6
dif/dt (A/μs)
Fig. 17 - Typical Recovery Current vs. di f /dt
350
300
250
200
150
J
J
F
R
4
2
IF = 39A
VR = 64V
T = 25°C _____
T = 125°C ----------
100
50
I = 19A
V = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
F
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
Fig. 18 - Typical Recovery Current vs. di f /dt
300
250
200
150
100
I = 39A
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
Fig. 19 - Typical Stored Charge vs. di f /dt
R
50
V = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
6
Fig. 20 - Typical Stored Charge vs. di f /dt
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFS3607TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3806PBF | 功能描述:MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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