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参数资料
| 型号： | IRGIB10B60KD1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 386K |
| 代理商： | IRGIB10B60KD1 |
IRGIB10B60KD1
www.irf.com
11
Fig. WF3- Typ. Diode Recovery Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF4- Typ. S.C Waveform
@ T
C
= 150°C using Fig. CT.3
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
0
100
200
300
400
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
Time (uS)
V
0
50
100
150
200
I
-200
-100
0
100
200
300
400
500
600
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Time (uS)
V
-5
-2.5
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
I
tf
Eoff Loss
90% Ice
5% Vce
5% Ice
Vce
Ice
-100
0
100
200
300
400
500
600
0.05
0.15
0.25
0.35
Time (uS)
V
-5
0
5
10
15
20
25
30
I
I
Eon
Loss
tr
90% Ice
10% Ice
5% Vce
Vce
Ice
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
100
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
Time (uS)
V
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
I
Q
RR
t
RR
Peak
I
RR
10% Peak
I
RR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGIB6B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIB7B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIH50F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGP20B120UD-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP20B120U-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGIB10B60KD1P | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIB10B60KD1PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIB15B60KD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIB15B60KD1P | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIB6B60KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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