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参数资料
型号： IRGIB10B60KD1
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管
文件页数： 8/12页
文件大小： 386K
代理商： IRGIB10B60KD1
IRGIB10B60KD1
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 10A; L = 2500μH
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
0
5
10
15
20
25
IF (A)
40
80
120
160
200
E
470
270
150
50
1
10
100
VCE (V)
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
0
10
20
30
40
50
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
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PDF描述
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参数描述
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