参数资料
型号: IRGP20B120UD-E
厂商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 绝缘栅双极型晶体管,超快软恢复二极管
文件页数: 11/12页
文件大小: 148K
代理商: IRGP20B120UD-E
IRGP20B120UD-E
www.irf.com
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Fig. WF.1 - Typ. Turn-off Loss Waveform
@ Tj=125°C using Fig. CT.4
Fig. WF.2 - Typ. Turn-on Loss Waveform
@ Tj=125°C using Fig. CT.4
Fig. WF.4 - Typ. S.C. Waveform
@ T
C
=150°C using Fig. CT.3
Fig. WF.3 - Typ. Diode Recovery Waveform
@ Tj=125°C using Fig. CT.4
-200
0
200
400
600
800
-0.2
-0.1
0.0
t i me (μs)
0.1
0.2
0.3
V
C
-20
0
20
40
60
80
I
C
TEST CURRENT
90% test current
10% test current
5% V
CE
t
r
Eon Loss
0
200
400
600
800
1000
1200
-10
0
10
20
30
t i me (μs)
V
C
-50
0
50
100
150
200
250
I
C
-200
0
200
400
600
800
1000
-0.2
0.0
0.2
t i me (μs)
0.4
0.6
0.8
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
I
C
t
f
90% I
CE
5% I
CE
5% V
CE
E
off
Loss
-800
-600
-400
-200
0
200
400
600
-0.2
0.0
0.2
t i me (μs)
0.4
0.6
0.8
V
C
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
I
C
10%
Peak
I
RR
Q
RR
Peak
I
RR
t
RR
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PDF描述
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参数描述
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IRGP20B120U-EP 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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