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参数资料
| 型号： | IRGP20B120UD-E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | IRGP20B120UD-E |
IRGP20B120UD-E
www.irf.com
7
Fig.17 - Typical Diode I
RR
vs I
F
Tj=125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
10
20
30
40
50
60
I
F
(A)
I
R
Rg=5
Rg=10
Rg=22
Rg=51
Fig.19 - Typical Diode I
RR
vs dI
F
/dt
V
CC
=600V; V
GE
=15V
I
F
=20A; Tj=125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
200
400
dI
F
/ dt (A/μs)
600
800
1000
1200
I
R
Rg=22
Rg=51
Rg=10
Rg=5
Fig.18 - Typical Diode I
RR
vs Rg
Tj=125°C; I
F
=20A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
5
10
15
20
Rg (ohms)
25
30
35
40
45
50
55
I
R
Fig.20 - Typical Diode Q
RR
V
CC
=600V; V
GE
=15V; Tj=125°C
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
7000
0
200
400
dI
F
/ dt (A/μs)
600
800
1000
1200
Q
R
51
22
10
5
50A
40A
30A
25A
20A
10A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGP20B120U-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGP20B60PD | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP30B60KD-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGP20B120UD-EP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP20B120UD-EP | 制造商:International Rectifier 功能描述:; MOUNTING TYPE:THROUGH HOLE; PACKAGE/CA |
| IRGP20B120U-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 1.2KV, 40A, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:40A, Collect |
| IRGP20B120U-EP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP20B60PD | 制造商:INTRSL 功能描述: |
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