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参数资料
| 型号： | IRGP20B120UD-E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | IRGP20B120UD-E |
IRGP20B120UD-E
12
www.irf.com
TO-247AD Case Outline and Dimensions
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 252-7105
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR JAPAN:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
Data and specifications subject to change without notice. 12/99
ΡΓ. Νο:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGP20B120U-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGP20B60PD | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP30B60KD-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP35B60PD | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP4050 | PDP Switch |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGP20B120UD-EP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP20B120UD-EP | 制造商:International Rectifier 功能描述:; MOUNTING TYPE:THROUGH HOLE; PACKAGE/CA |
| IRGP20B120U-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 1.2KV, 40A, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:40A, Collect |
| IRGP20B120U-EP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP20B60PD | 制造商:INTRSL 功能描述: |
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