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参数资料
| 型号： | IRGP20B120UD-E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | IRGP20B120UD-E |
IRGP20B120UD-E
www.irf.com
3
Fig.2 - Power Dissipation vs. Case
Tem perature
0
40
80
120
160
200
240
280
320
0
40
80
120
160
T
C
(°C)
P
t
Fig.4 - Reverse Bias SOA
Tj = 150°C, V
GE
= 15V
1
10
100
1000
1
10
100
V
CE
(V)
1000
10000
I
C
Fig.1 - Maximum DC Collector
Current vs. Case Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
40
80
120
160
T
C
(°C)
I
C
Fig.3 - Forward SOA
T
C
=25°C; Tj<150°C
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
V
CE
(V)
1000
10000
I
C
10ms
1ms
100μs
10μs
2μs
PULSED
DC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGP20B120UD-EP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP20B120UD-EP | 制造商:International Rectifier 功能描述:; MOUNTING TYPE:THROUGH HOLE; PACKAGE/CA |
| IRGP20B120U-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 1.2KV, 40A, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:40A, Collect |
| IRGP20B120U-EP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP20B60PD | 制造商:INTRSL 功能描述: |
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