- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384501 > IRGP30B60KD-E (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRGP30B60KD-E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 603K |
| 代理商： | IRGP30B60KD-E |
IRGP30B60KD-E
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
≤
150°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
Pt
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
20
40
60
80
IC
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.1
1
10
100
1000
IC
10 μs
100 μs
1ms
DC
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
1000
IC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGP35B60PD | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP4050 | PDP Switch |
| IRGP4055PBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGP4065DPBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGP4065PBF | PDP TRENCH IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGP30B60KD-EP | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP30B60KD-MP | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK-247 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR OTHER 制造商:International Rectifier 功能描述:600V UltraFast 5-40kHz Copack IGBT |
| IRGP35B60PD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT |
| IRGP35B60PD_04 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT |
| IRGP35B60PD-EP | 功能描述:IGBT 晶体管 600V WARP2 150KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。