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参数资料
型号： IRGP30B60KD-E
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管
文件页数： 6/12页
文件大小： 603K
代理商： IRGP30B60KD-E
IRGP30B60KD-E
6
www.irf.com
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L = 200μH; V
CE
= 400V
R
G
= 10
; V
GE
= 15V
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L = 200μH; V
CE
= 400V
R
G
= 10
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L = 200μH; V
CE
= 400V
I
CE
= 30A; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L = 200μH; V
CE
= 400V
I
CE
= 30A; V
GE
= 15V
0
20
40
60
80
IC (A)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
20
40
60
80
IC (A)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
E
EOFF
EON
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
E
EON
EOFF
0
25
50
75
100
125
RG (
)
10
100
1000
10000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
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PDF描述
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参数描述
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IRGP30B60KD-MP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK-247 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR OTHER 制造商:International Rectifier 功能描述:600V UltraFast 5-40kHz Copack IGBT
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IRGP35B60PD-EP 功能描述:IGBT 晶体管 600V WARP2 150KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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