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参数资料
| 型号： | IRGP30B60KD-E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 603K |
| 代理商： | IRGP30B60KD-E |
IRGP30B60KD-E
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 30A; L = 600μH
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
0
25
50
75
100
125
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
200V
400V
0
20
40
60
80
IF (A)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
E
47
22
100
4.7
10
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRGP30B60KD-MP | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK-247 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR OTHER 制造商:International Rectifier 功能描述:600V UltraFast 5-40kHz Copack IGBT |
| IRGP35B60PD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT |
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| IRGP35B60PD-EP | 功能描述:IGBT 晶体管 600V WARP2 150KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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